参数资料
型号: F29C51004T90T
厂商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: The F29C51004T/F29C51004B is a high speed 524,288 x 8 bit CMOS flash memory
中文描述: 该F29C51004T/F29C51004B是一款高速524288 × 8位CMOS闪存
文件页数: 5/16页
文件大小: 100K
代理商: F29C51004T90T
SyncMOS
F29C51004T/F29C51004B
5
F29C51004T/F29C51004B
V1.0
November 1998
AC Electrical Characteristics
(over all temperature ranges)
Read Cycle
Program (Erase/Program) Cycle
Parameter
Name
Parameter
-70
-90
-12
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RC
Read Cycle Time
70
90
120
ns
t
AA
Address Access Time
70
90
120
ns
t
ACS
Chip Enable Access Time
70
90
120
ns
t
OE
Output Enable Access Time
35
45
60
ns
t
CLZ
CE Low to Output Active
0
0
0
ns
t
OLZ
OE Low to Output Active
0
0
0
ns
t
DF
OE or CE High to Output in High Z
0
30
0
40
0
50
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
0
0
0
ns
Parameter
Name
Parameter
-70
-90
-12
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
t
WC
Write Cycle Time
70
90
120
ns
t
AS
Address Setup Time
0
0
0
ns
t
AH
Address Hold Time
45
45
50
ns
t
CS
CE Setup Time
0
0
0
ns
t
CH
CE Hold Time
0
0
0
ns
t
OES
OE Setup Time
0
0
0
ns
t
OEH
OE High Hold Time
0
0
0
ns
t
WP
WE Pulse Width
35
45
50
ns
t
WPH
WE Pulse Width High
20
30
35
ns
t
DS
Data Setup Time
30
30
30
ns
t
DH
Data Hold Time
0
0
0
ns
t
WHWH1
Programming Cycle
20
20
20
μ
s
t
WHWH2
Sector Erase Cycle
10
10
10
ms
t
WHWH3
Chip Erase Cycle
2
2
2
sec
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PDF描述
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